中国HB？M重大突破

中国的存储器行业正在迅速崛起，显著缩小了与韩国在DRAM和NAND闪存制造技术上的差距。中国在HBM方面也取得了重要突破，这对于AI驱动的计算至关重要。

Web of Science数据显示，中国学术机构在2024年发表了169篇HBM相关论文，居全球首位。

美国以114篇论文紧随其后，韩国发表了67篇，德国30篇，印度29篇，中国台湾23篇，这显示出中国在半导体研究领域的影响力日益增强。

尽管韩国在2000年代初期主导了HBM研究，并且仍然控制着全球约90%的HBM市场，但中国现在在基础研究方面已经超越了韩国，这一显著转变引起了整个行业的广泛关注。

行业专家认为，中国在存储器领域的快速进展得益于广泛的政府补贴，目前已进入第三阶段。

据报道，国内内存厂商正在大规模生产HBM2，这些努力旨在到2026年将中国的HBM自给率提高到70%。

（内容来源：全球旅报）